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PhotoMos HE DIP8 1a1b

 低导通电阻和经济性两者兼备的1a1b型

特点:
l 负载电压：400V
l 低导通电阻（typ.11Ω
l 耐电压 1,500V AC
l 输出构成：1a1b
用途:
l 安防设备
l 电话设备
l 数据通信设备
l 传感器设备
 
*不支持车载用途
 

 

订货产品号:
 
 
相关电路:
 
 
动作/复位时间:
 
建议动作条件:
建议在下列条件下使用，以获得预期的性能
 
封装:
外形尺寸图:
 
 
安装脚位图:
 
 
2022/08/25

 

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沪ICP备15003268号