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PhotoMos HE DIP8 1a1b
低导通电阻和经济性两者兼备的1a1b型
特点:
l
负载电压:
400V
l
低导通电阻(typ.11
Ω
l
耐电压 1,500V AC
l
输出构成:
1a1b
用途:
l
安防设备
l
电话设备
l
数据通信设备
l
传感器设备
*不支持车载用途
订货产品号:
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动作/复位时间:
建议动作条件:
建议在下列条件下使用,以获得预期的性能
封装:
外形尺寸图:
安装脚位图:
2022/08/25
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